特許
J-GLOBAL ID:200903069895453477

配線基板、回路部品実装体、電子部品パッケージ、配線基板の製造方法及び、電子部品のパッケージの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松田 正道
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-361027
公開番号(公開出願番号):特開平11-017300
出願日: 1997年12月26日
公開日(公表日): 1999年01月22日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】ビルドアップ製法は、内層のコアーに、従来の低密度であるガラスエポキシ多層基板を用いるために、より高密度の配線基板が得にくい。また、より高密度の配線基板を得るにはビルドアップする絶縁層と配線層を増やす必要があり、平坦化などが技術的に困難になる、あるいはコストが高くなる等の問題がある。【解決手段】第1のバイアホール103を有する基材層101と前記基材層101の少なくとも一面に設けられる第2のバイアホール105を有する絶縁層104とがあり、前記第2のバイアホール105の面積が前記第1のバイアホール103の面積より小さく、前記第1及び第2のバイアホール103,105が導電性材料で充填されている。このようにすることにより大きなワークサイズでファインな配線とファインなバイアホール接続が可能となり、低コストの配線基板や電子部品が得られる。
請求項(抜粋):
第1のバイアホールを有する基材層と、第2のバイアホールを有し、前記基材層の少なくとも一面に設けられた絶縁層とを備え、前記第2のバイアホールの断面積が前記第1のバイアホールの断面積より小さく、また前記第1及び第2のバイアホールが導電性材料で充填されていることを特徴とする配線基板。
IPC (4件):
H05K 1/11 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/40 ,  H05K 3/46
FI (8件):
H05K 1/11 N ,  H05K 3/40 K ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 T ,  H05K 3/46 S ,  H01L 23/12 Q ,  H01L 23/12 N
引用特許:
審査官引用 (4件)
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