特許
J-GLOBAL ID:200903069925806574

レジストの基板依存性改善剤

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-134343
公開番号(公開出願番号):特開平11-044950
出願日: 1998年04月28日
公開日(公表日): 1999年02月16日
要約:
【要約】【課題】半導体素子等の製造に於て用いられるレジスト組成物の構成成分として有用な基板依存性改善剤の提供。【解決手段】-NH-の少なくとも一方の結合手が-C(=O)-、-C(=S)-及び-SO2-から選ばれた少なくとも1つと直接結合した構造を分子内に少なくとも1つ有する化合物を含んで成るレジストの基板依存性改善剤。
請求項(抜粋):
-NH-の少なくとも一方の結合手が-C(=O)-、-C(=S)-及び-SO2-から選ばれた少なくとも1つと直接結合した構造を分子内に少なくとも1つ有する化合物を含んで成るレジストの基板依存性改善剤。
IPC (5件):
G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (5件):
G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許:
審査官引用 (3件)

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