化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-110395
公開番号（公開出願番号）：特開平10-207066
出願日： 1997年04月11日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】 (修正有)【解決手段】 (A):有機溶剤(B):ベース樹脂として1種又は2種以上の酸不安定基を有する高分子化合物が更に分子内及び/又は分子間でC-O-C基を有する架橋基により架橋されている重量平均分子量が1,000〜500,000の高分子化合物(C):酸発生剤(D):塩基性化合物(E):分子内に≡C-COOHで示される基を有する芳香族化合物を含有してなることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【効果】化学増幅ポジ型レジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性、再現性にも優れている。また、パターンがオーバーハング状になりにくく、寸法制御性に優れている。更に、アセチレンアルコール誘導体の配合により保存安定性が向上する。

請求項（抜粋）：

(A):有機溶剤(B):ベース樹脂として1種又は2種以上の酸不安定基を有する高分子化合物が更に分子内及び/又は分子間でC-O-C基を有する架橋基により架橋されている重量平均分子量が1,000〜500,000の高分子化合物(C):酸発生剤(D):塩基性化合物(E):分子内に≡C-COOHで示される基を有する芳香族化合物を含有してなることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。

IPC (9件)：

G03F 7/039 501 , C08F 8/00 , C08F112/14 , C08K 5/13 , C08K 5/17 , C08K 5/34 , C08K 5/42 , C08L 25/18 , H01L 21/027

FI (9件)：

G03F 7/039 501 , C08F 8/00 , C08F112/14 , C08K 5/13 , C08K 5/17 , C08K 5/34 , C08K 5/42 , C08L 25/18 , H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (10件)

橋かけポリマー
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-330237 出願人：オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド
架橋されたポリマー
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-098487 出願人：オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド
パターン形成用レジストおよびパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-100310 出願人：株式会社東芝

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