特許

J-GLOBAL ID：200903069928212136

熱電変換モジュールとこれを用いた発電装置

発明者： 伊東 雅宏
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 上田 章三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-149062
公開番号（公開出願番号）：特開2009-016812
出願日： 2008年06月06日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：

【課題】素子内に大きな温度差が実現されて発電量の増加が図れる熱電変換モジュールとこれを用いた発電装置を提供する。【解決手段】p型熱電変換素子とn型熱電変換素子が接続された熱電変換ユニットを二次元的に単数あるいは複数配列させた熱電変換ユニット単体あるいはその集合体両面に基板が設けられた熱電変換モジュールであって、上記各基板20、30が、熱電変換ユニット10表面を被覆する低熱伝導部21、31と、低熱伝導部に設けられた孔内に埋め込まれその一端側がp型とn型熱電変換素子の上記接続部位に接続され他端側が低熱伝導部表面の孔から露出する高熱伝導部22、32とで構成され、低熱伝導部から露出する各高熱伝導部表面が高熱伝導の温度接触部40、50にそれぞれ接続されていることを特徴とする。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

p型材料から成る薄膜のp型熱電変換素子とn型材料から成る薄膜のn型熱電変換素子とが直接若しくは金属材料を介し接続された熱電変換ユニットを二次元的に単数あるいは複数配列させた熱電変換ユニット単体あるいはその集合体両面に、熱伝導率の異なる材料で構成された基板がそれぞれ設けられ、一方の基板側を高温側にかつ他方の基板側を低温側に配置して成る熱電変換モジュールにおいて、 上記各基板が、熱伝導率の低い材料で構成されかつ熱電変換ユニット単体あるいはその集合体の表面を被覆する低熱伝導部と、熱伝導率の高い材料で構成されかつ上記低熱伝導部の厚さ方向に沿って設けられた貫通孔若しくは凹部内に埋め込まれると共にその一端側がp型熱電変換素子またはn型熱電変換素子の上記接続部位若しくはその近傍部位に接続または近接され他端側が低熱伝導部表面の貫通孔若しくは凹部から露出する高熱伝導部とで構成され、かつ、低熱伝導部表面の貫通孔若しくは凹部から露出する高熱伝導部の表面が熱伝導率の高い材料で構成される温度接触部に接続されていることを特徴とする熱電変換モジュール。

IPC (4件)：

H01L 35/32 ,  H01L 35/30 ,  H02N 11/00 ,  H01L 23/38

FI (4件)：

H01L35/32 ,  H01L35/30 ,  H02N11/00 A ,  H01L23/38

Fターム (2件)：

5F136AA10 ,  5F136JA03

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 発電装置及び情報処理機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-185944   出願人：ソニー株式会社
• 太陽電池モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-259246   出願人：キヤノン株式会社
• 熱電変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-380904   出願人：国立大学法人長岡技術科学大学

審査官引用 (1件)

• 熱電変換装置並びに熱交換エレメント及びそれらを用いた装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-310020   出願人：シャープ株式会社