高温処理チャンバ用リッドアセンブリ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-312032
公開番号（公開出願番号）：特開平10-172964
出願日： 1997年11月13日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】厚さの均一性、良好なギャップフィル性能、高密度、低水分を有する誘電膜を形成する高温堆積、加熱及び効率のよい洗浄のシステム、方法及び装置の提供。【解決手段】約100〜760torrの圧力のチャンバ内でシリコン、酸素及びドーパントの反応から少なくとも500°Cの温度のヒータ上の基板上に、ドーパント原子を含むドープ酸化シリコン膜を堆積させる工程;及び前記ドーパント原子を前記基板内に拡散させるために前記ドープ酸化シリコン膜を加熱して前記超薄ドープ領域を形成する工程を含むチャンバ内で基板の超薄ドープ領域を形成する方法を用いる。

請求項（抜粋）：

下記の成分を含む、処理チャンバを収容する封入部分を有するタイプの蒸着装置用リッドアセンブリ。1種以上のガスを入れるガス導入口を有するベースプレート;ガスを該チャンバへ分散させるガス導入口へ流動的に連結された複数のガス分配孔を含むガス分配プレート;及びガスの少なくとも一部が該チャンバへの該ガス分配孔をバイパスすることを可能にする該ガス分配孔より小さい流体流動に対する耐性を与える、該ガス導入口及び該処理チャンバに連結されたバイパス通路。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , C23C 16/44 , H01L 21/203 , H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/44 D , H01L 21/203 Z , H01L 21/205

引用特許：

出願人引用 (3件)

処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-296148 出願人：東京エレクトロン株式会社
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-315103 出願人：富士通株式会社
成膜処理装置及び成膜処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-079954 出願人：東京エレクトロン株式会社, テル・エンジニアリング株式会社

審査官引用 (3件)

半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-315103 出願人：富士通株式会社
処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-296148 出願人：東京エレクトロン株式会社
成膜処理装置及び成膜処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-079954 出願人：東京エレクトロン株式会社, テル・エンジニアリング株式会社

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