特許

J-GLOBAL ID：200903069961715445

フッ素含有二酸化シリコン被膜の被着方法

発明者： ダニエル・エイ・カール ,  シャリ・シュクマン
出願人/特許権者： ノベラス・システムズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大島 陽一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-179878
公開番号（公開出願番号）：特開平9-106986
出願日： 1996年06月20日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】 優れた段差部被覆性(ステップカバレッジ)及び平坦性を有する、安定性の高いフッ素含有二酸化シリコン被膜の被着方法を提供する。【解決手段】 プラズマCVD用平行プレートに二重周波数RF電力源が備えられる。TEOS、酸素、及びフッ素の混合ガスから、フッ素含有二酸化シリコン被膜を被着する処理に際して、低周波RF電力源が高周波電力より高レベルの電力を供給する。このように形成された被膜は、安定で、優れた段差部被覆性及び平坦性を有する。

請求項（抜粋）：

プラズマCVDを用いて、フッ素を含有する二酸化シリコンを被着する方法であって、プラズマCVDリアクタ内に基板を保持する過程と、TEOS分、酸素分、及びフッ素分を含む気体混合物を、前記リアクタ内に導入する過程と、前記基板の周辺の前記気体混合物を励起してプラズマにするべく、前記気体混合物に交流電力を与える過程とを有し、前記気体混合物において、酸素分圧のTEOS分圧に対する比が、実質的に高いことを特徴とするフッ素含有二酸化シリコン被膜の被着方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/50

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/31 C ,  C23C 16/50

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シリコン酸化膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-238536   出願人：株式会社ジーティシー
• 絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-029137   出願人：富士通株式会社