特許
J-GLOBAL ID：200903069977360540
バイア被毒を緩和しつつ金属ライン間にボイドフリー低k誘電性材料を提供する集積回路構造のための低K誘電性複合材層
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-319053
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168193
出願日： 2000年10月19日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 一層稠密化しつゝある集積回路構造の静電容量を低下させるため金属ライン間に低い誘電率(低k)の酸化ケイ素誘電性材料の複合材層を形成する。【解決手段】 低k酸化ケイ素誘電性材料の複合材層は、近接して間隔を空けて離れた金属ライン14a,14b,14c間の高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性を呈する低k酸化ケイ素誘電性材料の第一の層24を、低k酸化ケイ素誘電性材料の得られる堆積が酸化物層上の金属ライン14a,14b,14cのトップのレベルに達するまで堆積し、その後、第一の層24よりも速い堆積速度を有する低k酸化ケイ素誘電性材料の第二の層30を、第一の層24の上に、低k酸化ケイ素誘電性層の好適な厚み全体まで堆積する。
請求項（抜粋）：
近接して間隔を空けて離れた金属ラインを有する半導体基板上の集積回路構造の酸化物層上に低k酸化ケイ素誘電性材料の複合材層を形成するための方法であって、該低k酸化ケイ素誘電性材料の複合材層は、近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性、及び標準k酸化ケイ素に匹敵する他の領域における堆積速度を呈し、バイア被毒特性を呈することがなく、下記工程:a)前記酸化物層及び前記金属ラインの上に、前記近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性を呈する低k酸化ケイ素誘電性材料の第一の層を形成する工程、及びb)前記第一の層よりも高い堆積速度で、前記第一の層の上に、低k酸化ケイ素誘電性材料の第二の層を形成する工程、を含む方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/316
H01L 21/316 X
, H01L 21/90 K
