特許
J-GLOBAL ID：200903069987023940

GaN系化合物半導体発光素子

発明者：
吉田 清輝

吉田 清輝 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-353120
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183399
出願日： 1998年12月11日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：
【要約】【課題】 バンドギャップエネルギの低い良質の活性層を備え、発光効率の高い安定な発光を得ることのできるGaN系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 活性層15としてIn<SB>1-x</SB>Ga<SB>x</SB>N<SB>1-y-z</SB>As<SB>y</SB>P<SB>z</SB>[但し、0≦x,y,z<1]からなる半導体層を形成し、この活性層を挟むクラッド層14,16としてAl<SB>a</SB>In<SB>b</SB>Ga<SB>1-a-b</SB>N<SB>1-c-d</SB>As<SB>c</SB>P<SB>d</SB>[但し、0≦a,b,c,d≦1]からなる半導体層を形成する。また上記各半導体層の組成を変えることでその発光波長を紫外領域から赤外領域まで広範囲に設定可能なGaN系化合物半導体発光素子を実現する。
請求項（抜粋）：
GaN系化合物半導体からなる活性層とクラッド層とを備えた発光素子であって、前記活性層としてIn<SB>1-x</SB>Ga<SB>x</SB>N<SB>1-y-z</SB>As<SB>y</SB>P<SB>z</SB>[但し、0≦x,y,z<1]からなる半導体層を形成したことを特徴とするGaN系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 673
Fターム (25件)：
5F041AA03 ,  5F041AA14 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073CA20 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA24 ,  5F073EA04
引用特許：
審査官引用 (3件)

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