特許
J-GLOBAL ID:200903069987737714

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-255701
公開番号(公開出願番号):特開2003-068836
出願日: 2001年08月27日
公開日(公表日): 2003年03月07日
要約:
【要約】【課題】 板状基板を基板載置部に適切に保持させて不具合を防止することができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】 処理室2内の下部電極3上面の絶縁層5上の載置面にシリコンウェハを載置してプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、下部電極3と上部電極4との間にプラズマが発生するまでの間は、真空吸着ポンプ12を駆動してシリコンウェハを真空吸着によって絶縁層5に保持し、プラズマが発生した後には静電吸着用DC電源部18によって下部電極3に直流電圧を印加してシリコンウェハを下部電極3に静電吸着によって保持する。これによりシリコンウェハを常に下部電極3に適切の保持することができ、密着不良に起因する異常放電や冷却不良を防止することができる。
請求項(抜粋):
板状基板のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、前記板状基板が載置される載置面が設けられた基板載置部と、前記板状基板を静電吸着によって前記載置面に保持する静電吸着手段と、前記載置面に開口した吸着孔を介して真空吸引することにより板状基板を真空吸着して載置面に保持する真空保持手段と、前記載置面に載置された板状基板を処理するためのプラズマを発生するプラズマ発生手段とを備え、少なくとも前記プラズマ発生手段によってプラズマが発生するまでの間、前記真空保持手段によって板状基板を前記載置面に保持することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (7件):
H01L 21/68 ,  B01J 3/00 ,  B01J 19/08 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46 ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/304 645
FI (9件):
H01L 21/68 R ,  H01L 21/68 P ,  B01J 3/00 J ,  B01J 19/08 H ,  H05H 1/46 A ,  H05H 1/46 M ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/304 645 C ,  H01L 21/302 B
Fターム (32件):
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA51 ,  4G075BC06 ,  4G075CA02 ,  4G075CA03 ,  4G075CA25 ,  4G075DA02 ,  4G075EB01 ,  4G075EB42 ,  4G075EC21 ,  4G075EC25 ,  4G075FB04 ,  4G075FC15 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030GA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA00 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB21 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F031HA13 ,  5F031HA16 ,  5F031HA38 ,  5F031HA39 ,  5F031MA28 ,  5F031MA32 ,  5F031PA30
引用特許:
審査官引用 (5件)
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