プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森本義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-379540
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184759
出願日： 2000年12月14日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】ヘリウムガスを使用することなく、大気圧中で安定した放電を行なえるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】反応管1の外周部に反応管1を挟んで対向するよう第1の電極5と第2の電極6を配置する。反応管1に反応ガスを供給し、第1の電極5に高周波電源7より高周波電力を供給し、第2の電極6にこの高周波電力よりも低い周波数の低周波電力を供給して、高周波電力と低周波電力との合成電力によって反応ガスを励起してプラズマを発生させる。

請求項（抜粋）：

反応ガスを供給する反応管と、前記反応ガスに作用する第1,第2の電極とを備え、前記第1,第2の電極に高周波電力を供給して反応ガスを励起し、発生させたプラズマで被処理基板を処理するプラズマ処理装置であって、第1の電極に高周波電力を供給する第1の電源と、第2の電極に前記高周波電力よりも低い周波数の低周波電力を供給する第2の電源とを設けたプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , B01J 19/08 , H05H 1/30

FI (3件)：

B01J 19/08 H , H05H 1/30 , H01L 21/302 N

Fターム (22件)：

4G075AA30 , 4G075AA42 , 4G075BA02 , 4G075BA05 , 4G075BD14 , 4G075CA24 , 4G075CA25 , 4G075CA47 , 4G075CA51 , 4G075CA57 , 4G075DA01 , 4G075EB21 , 4G075EB41 , 4G075EC21 , 4G075FB06 , 4G075FC15 , 5F004AA14 , 5F004BA04 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004CA03 , 5F004CA09

引用特許：

審査官引用 (4件)

大気圧プラズマ生成方法および装置並びに表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-169010 出願人：セイコーエプソン株式会社
表面処理方法及びその装置、半導体装置の製造方法及びその装置、並びに液晶ディスプレイの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-124250 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開昭57-131374

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