特許
J-GLOBAL ID：200903070029699333
半導体基板及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-307296
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145146
出願日： 1997年11月10日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 基板に加えられるダメージを低く抑えつつ、ゲッタリング能力を高く保ち、エピタキシャル層に酸素析出物が到達することをも防止する。【解決手段】 開示される半導体基板は、その表面から裏面に向かって、無欠陥層16と、高密度に酸素析出核15を含む高密度層13aと、高密度層13aより低密度に酸素析出核15を含む低密度領域14aとが順に形成されたシリコン基板11と、シリコン基板11上に形成されたエピタキシャル層17とを備えてなる。
請求項（抜粋）：
その表面から裏面に向かって、無欠陥層と、高密度に酸素析出核を含む高密度層と、該高密度層より低密度に酸素析出核を含む低密度領域とが順に形成されたシリコン基板と、前記シリコン基板上に形成されたエピタキシャル層とを備えてなることを特徴とする半導体基板。
引用特許：
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