半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-349426
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189904
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】 (修正有)【解決手段】 TiN膜を高パワ-(12w/平方センチメ-トル以上)、低圧力(1mTorr以下)のスパッタ法を用いて形成することにより、少なくとも(111)面よりも(200)面のX線回折ピ-ク強度の大きいTiN膜を得ることができる。この場合の(200)面のX線回折ピ-ク半値幅は10度以下となる。このTiN膜は耐酸化性が高いため、図1に示すようにPtを100nmまで薄膜化しても酸化が起こらない。さらに(200)面に配向したTiN膜上ではPtの結晶性がよくなり、PZTの結晶性も向上させることができる。そのため、比誘電率と残留分極値の大きいPZT膜を得ることがでる。【効果】下部電極Ptの薄膜化が可能となり、加えてPZTの電気的特性も向上させることができるため、DRAMや強誘電体不揮発性メモリ等の容量記憶素子の微細化、高集積化が可能となる。

請求項（抜粋）：

第一の下部電極、第二の下部電極、絶縁膜、上部電極の順に積層されるキャパシタを有する半導体装置において、第一の下部電極は(200)面のX線回折強度が(111)面のX線回折強度よりも大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/28 301 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/10 451

FI (4件)：

H01L 27/10 651 , H01L 21/28 301 R , H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-245616 出願人：三菱電機株式会社
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-064077 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社

審査官引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-245616 出願人：三菱電機株式会社
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-064077 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社

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