特許
J-GLOBAL ID:200903070087102940
極端紫外光発生装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
五十畑 勉男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-149629
公開番号(公開出願番号):特開2006-329664
出願日: 2005年05月23日
公開日(公表日): 2006年12月07日
要約:
【課題】Snの放射種に起因するデブリが集光鏡に堆積することを防止できる新たな構造を提供することである。【解決手段】Snを含む原料から高密度高温プラズマPを発生させる放電部と、この高密度高温プラズマPから放射される極端紫外光を所定方向に導く集光鏡2と、この放電部と集光鏡の間に配置されて錫から生じるデブリを捕獲するデブリトラップ3と、このデブリトラップ3の近傍に水素ガスを供給する手段4と、このデブリトラップを加熱する手段5からなる。概観が略円錐台の高融点金属製デブリトラップ3内部には極端紫外光通過方向に仕切壁を設けて、水素ラジカル発生量とデブリ捕獲表面積を増加させる。また、極端紫外光通過方向に前後二分割し、集光鏡2側のみ加熱してもよい。【選択図】図1
請求項(抜粋):
錫を含む原料から高密度高温プラズマを発生させる放電部と、この高密度高温プラズマから放射される極端紫外光を所定方向に導く集光鏡と、この放電部と集光鏡の間に配置されてデブリを捕獲するデブリトラップと、このデブリトラップの近傍に水素を含むガスを供給する手段と、このデブリトラップを加熱する手段と、
よりなることを特徴とする極端紫外光発生装置。
IPC (2件):
FI (3件):
G21K5/08 X
, G21K5/08 Z
, H05G1/00 K
Fターム (3件):
4C092AA04
, 4C092AB21
, 4C092AC09
引用特許:
前のページに戻る