特許
J-GLOBAL ID：200903070096471029

電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハ及び電界効果トランジスタ

発明者：
木原 倫夫

木原 倫夫 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-393571
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197643
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハ及びそれを用いた電界効果トランジスタにおいて、サファイア基板上に形成する低温堆積層を高抵抗とする構造を得る。【解決手段】GaNを含む窒化物混晶をチャネル層とする窒化ガリウム系化合物半導体を用いた電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、サファイア基板1上にGaN又はInGaNの低温堆積層21又は22を介し電界効果トランジスタ構造を成長する際に、該低温堆積層21又は22にZnをドーピングする。
請求項（抜粋）：
GaNを含む窒化物混晶をチャネル層とする窒化ガリウム系化合物半導体を用いた電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、サファイア基板上に低温堆積層を介し電界効果トランジスタ構造を成長する際に、該低温堆積層にZnをドーピングしたことを特徴とする電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハ。
IPC (6件)：
H01L 21/338 ,  C23C 16/34 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (4件)：
C23C 16/34 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/80 H
Fターム (35件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TJ06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA20 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD08 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045DA66 ,  5F045DC53 ,  5F102GB01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GR09 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (3件)

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