特許
J-GLOBAL ID：200903061511004483
窒化ガリウム系半導体素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-302918
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145514
出願日： 1997年11月05日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 SiC基板やシリコン基板などの各種基板上に、高品質かつ膜厚の厚い窒化ガリウム系半導体層を積層してなる半導体素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 SiCやシリコンなどの基板上にインジウムを含んだ窒化ガリウム系半導体のバッファ層を堆積することにより、その上に高品質の窒化ガリウム系半導体層を厚く成長することができる。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の上に積層された少なくともインジウムを含む窒化ガリウム系半導体からなるバッファ層と、前記バッファ層の上に積層された少なくとも1層以上の窒化ガリウム系半導体層と、を備え、前記基板と前記窒化ガリウム系半導体層との熱膨張率の差に起因する応力が前記バッファ層により緩和されるようにしたものとして構成されていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
