カルコパイライト型化合物半導体の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-079004
公開番号（公開出願番号）：特開2004-288875
出願日： 2003年03月20日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：

【課題】カルコパイライト型化合物半導体の伝導型制御。【構成】I-III-VI2族又はII-IV-V2族化合物半導体のエピタキシャル結晶成長を行う際に、結晶成長炉に、該化合物半導体の構成原料のうちI族及びIII族、又はII族及びIV族の金属原料ガスを別々の供給ルートから同時に供給するプロセスと、VI族またはV族の原料ガスの供給を行うプロセスとを交互に繰り返すとともに、結晶成長炉への金属原料ガスのそれぞれの供給ルートのいずれかに両性不純物元素の供給源を置くことにより、該化合物半導体に両性不純物元素を選択的に添加して該半導体の伝導型をn型又はp型に制御することを特徴とするカルコパイライト型化合物半導体の製造方法。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

I-III-VI2族又はII-IV-V2族化合物半導体のエピタキシャル結晶成長を行う際に、結晶成長炉に、該化合物半導体の構成原料のうちI族及びIII族、又はII族及びIV族の金属原料ガスを別々の供給ルートから同時に供給するプロセスと、VI族又はV族の原料ガスの供給を行うプロセスとを交互に繰り返すとともに、結晶成長炉への金属原料ガスのそれぞれの供給ルートのいずれかに両性不純物元素の供給源を置くことにより、該化合物半導体に両性不純物元素を選択的に添加して該半導体の伝導型をn型又はp型に制御することを特徴とするカルコパイライト型化合物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/365 , H01L33/00 , H01S5/30

FI (3件)：

H01L21/365 , H01L33/00 D , H01S5/30

Fターム (20件)：

5F041AA11 , 5F041CA46 , 5F041CA50 , 5F041CA57 , 5F041CA67 , 5F045AA04 , 5F045AB17 , 5F045AC00 , 5F045AC16 , 5F045AD09 , 5F045AF04 , 5F045BB04 , 5F045CA13 , 5F045DP04 , 5F045DQ06 , 5F045EE19 , 5F073CA23 , 5F073CB15 , 5F073DA07 , 5F073EA05

引用特許：

出願人引用 (1件)

カルコパイライト型化合物半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-052264 出願人：科学技術振興事業団

審査官引用 (1件)

カルコパイライト型化合物半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-052264 出願人：科学技術振興事業団

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