プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-249639
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077090
出願日： 1999年09月03日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】プラズマ処理において、プラズマ生成条件である放電電力、原料ガスの圧力、流量、組成で、プラズマ内の活性種を制御するしかなく、高精度に処理性能を制御することおよび特性を長期間安定に維持することが困難であった。【解決手段】 300から500MHzの電磁波と磁場の相互作用でプラズマを形成し、電磁波導入用平面板に50kHzから30MHzの電磁波を該300から500MHzの電磁波に重畳させ、さらに平面板と被加工試料の間隔を被加工試料または平面板のいずれか小さい方の1/2以下とする構成とした。【効果】プラズマ内の活性種がプラズマ生成条件とは独立にかつ効果的に制御でき、さらに長期的な処理性能の安定化が可能となる。

請求項（抜粋）：

真空排気手段と原料ガス供給手段と被加工試料設置手段とを有する真空容器内で原料ガスをプラズマ化し、被加工試料の処理を行うプラズマ処理装置において、該真空容器内に電磁波を放射する平面板を含み、該平面板から300から500MHzの電磁波を放射させる電磁波供給手段と磁場発生手段を備え、該平面板を該被加工試料に対面するように配置し、該平面板と該被加工試料との間隔が30mmから前記被加工試料直径の2分の1以下に設定され、該平面板から放射される該300から500MHzの電磁波と磁場との相互作用で原料ガスをプラズマ化し、該プラズマを用いて前記被加工試料の表面処理を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 G , H01L 21/31 C

Fターム (69件)：

4K057DA00 , 4K057DA16 , 4K057DD01 , 4K057DD03 , 4K057DE01 , 4K057DE06 , 4K057DE07 , 4K057DE08 , 4K057DE09 , 4K057DE11 , 4K057DE14 , 4K057DG06 , 4K057DG07 , 4K057DG08 , 4K057DG12 , 4K057DG13 , 4K057DG14 , 4K057DG16 , 4K057DG20 , 4K057DM06 , 4K057DM08 , 4K057DM17 , 4K057DM18 , 4K057DM21 , 4K057DM22 , 4K057DM28 , 4K057DM29 , 4K057DM31 , 4K057DM33 , 4K057DM39 , 4K057DN01 , 5F004AA00 , 5F004BA14 , 5F004BA16 , 5F004BB11 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BB22 , 5F004BB25 , 5F004BB28 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA04 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F045AA08 , 5F045AA10 , 5F045DP01 , 5F045DP02 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EF05 , 5F045EH01 , 5F045EH02 , 5F045EH03 , 5F045EH05 , 5F045EH17 , 5F045EJ03 , 5F045EJ04 , 5F045EM05

引用特許：

審査官引用 (2件)

プラズマエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-261327 出願人：株式会社日立製作所
エッチングの後処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-354411 出願人：東京エレクトロン山梨株式会社

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