特許
J-GLOBAL ID：200903070155586064
電子部品のパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-272276
公開番号（公開出願番号）：特開平8-138993
出願日： 1994年11月07日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 紫外線、電離放射線などの波長の短い化学放射線を用いたリソグラフィに適用される化学増幅型レジストの散乱光によるパターン寸法変動に対する影響を低減でき、断面が短形状の良好な微細パターンを安定して形成し得る電子部品のパターン形成方法を提供する。【構成】 化学放射線の照射により酸を発生する化合物および酸により分解し得る結合を少なくとも1つ有する化合物を含有する感放射線組成物を基板上に塗布して感放射線層を形成する工程と、感放射線層の所望のパターン形成予定部を除く領域を露光する工程と、感放射線層の表面を塩基性化合物で処理し、露光を施した部位に発生した酸を失活させる工程と、塩基性化合物で処理された感放射線層のパターン形成予定部を露光する工程と、基板を加熱処理した後、感放射線層を現像処理する工程とを具備することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
化学放射線の照射により酸を発生する化合物および前記酸により分解し得る結合を少なくとも1つ有する化合物を含有する感放射線組成物を基板上に塗布して感放射線層を形成する工程と、前記感放射線層の所望のパターン形成予定部を除く領域を露光する工程と、次に、前記感放射線層の表面を塩基性化合物で処理し、前記露光を施した部位に発生した酸を失活させる工程と、前記塩基性化合物で処理された感放射線層のパターン形成予定部を露光する工程と、次に、前記基板を加熱処理した後、前記感放射線層を現像処理する工程とを具備することを特徴とする電子部品のパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
