特許
J-GLOBAL ID：200903070167445954

多層配線構造の検査パターン、検査パターンを備えた半導体装置、半導体装置の検査方法、及び半導体装置の検査システム

発明者：
梅村 栄一

梅村 栄一 について

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福永 浩之

福永 浩之 について

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中屋敷 浩之

中屋敷 浩之 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について

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宮崎沖電気株式会社

宮崎沖電気株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-198360
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133377
出願日： 2002年07月08日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】【課題】 多層配線構造の潜在不良を簡便な方法で検出可能にする検査パターン、それを備えた半導体装置、その検査方法、及び検査システムを提供する。【解決手段】 検査パターン501は、複数の下層配線502と、複数の上層配線503と、下層配線502と上層配線503との間に備えられた絶縁層504と、上層配線503と下層配線502とが交互に直列に接続されたコンタクトチェーンを構成するように上層配線503と下層配線502とを電気的に接続する複数のコンタクトユニット505と、1対の電極端子506,507とを有する。検査では、電極端子506,507間に電圧を印加し、コンタクトチェーンに流れる電流を測定して印加電圧対測定電流特性を取得し、これを予め決められた基準特性と比較することによって、多層配線構造の潜在不良の有無を判定する。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハに形成された多層配線構造の潜在不良を検出するための検査パターンであって、互いに間隔をあけて配列された複数の下層配線と、互いに間隔をあけて配列された複数の上層配線と、前記複数の下層配線と前記複数の上層配線との間に備えられた絶縁層と、前記複数の上層配線と前記複数の下層配線とが交互に直列に接続されたコンタクトチェーンを構成するように前記複数の上層配線と前記複数の下層配線とを電気的に接続する複数のコンタクトユニットと、前記コンタクトチェーンの両端に電気的に接続された1対の電極端子とを有し、前記複数のコンタクトユニットの内、前記下層配線又は前記上層配線の長手方向に隣り合うもの同士の間隔が50μm以下になるように、前記複数の下層配線の長さ、前記複数の上層配線の長さ、及び、前記コンタクトユニットの位置を設定したことを特徴とする多層配線構造の検査パターン。
IPC (5件)：
H01L 21/66 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (6件)：
H01L 21/66 F ,  H01L 21/66 S ,  H01L 21/90 Z ,  H01L 27/04 T ,  G01R 31/28 H ,  G01R 31/28 V
Fターム (25件)：
2G132AA00 ,  2G132AD01 ,  2G132AD15 ,  2G132AF01 ,  2G132AG09 ,  2G132AH00 ,  2G132AK07 ,  2G132AL09 ,  2G132AL12 ,  4M106AA07 ,  4M106AA11 ,  4M106AB15 ,  4M106BA01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA05 ,  4M106CA15 ,  5F033VV12 ,  5F033WW01 ,  5F033XX37 ,  5F038CA05 ,  5F038CA13 ,  5F038CD18 ,  5F038CD20 ,  5F038DT12 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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