特許
J-GLOBAL ID：200903070171531709
薄膜積層電子部品の製造方法及び薄膜積層電子部品
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-251284
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095641
出願日： 2002年08月29日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】効率よく、かつ経済的に、小型、高性能の薄膜積層電子部品を製造することが可能な薄膜積層電子部品の製造方法及び薄膜積層電子部品を提供する。【解決手段】薄膜内部電極3(3a,3b)が位置ずれした部分を、該位置ずれ方向と略直交する方向に、積層体4側からカットすることにより、積層体4を厚み方向全体にカットし、基板1を厚み方向途中部分までカットするようなハーフカット溝12を形成し、少なくとも薄膜内部電極3(3a,3b)が露出した積層体4のハーフカット端面4aと、基板1のハーフカット端面1aに外部電極7を形成した後、ハーフカット溝12に沿って、積層体4のハーフカット端面4a及び基板1のハーフカット端面1aに形成された外部電極7が実質的に除去されない位置で基板1をフルカットする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に薄膜誘電体と薄膜内部電極を交互に積層することにより形成された積層体と、所定の薄膜内部電極と導通する外部電極とを具備する薄膜積層電子部品の製造方法において、
基板上に、薄膜誘電体と薄膜内部電極を交互に積層することにより、各薄膜内部電極が所定の一方向に交互に位置ずれして配設された積層体を形成する工程と、
前記薄膜内部電極の位置ずれした部分において、該位置ずれ方向と略直交する方向に、積層体側からカットすることにより、積層体を厚み方向全体にカットし、基板を厚み方向途中部分までカットするようなハーフカット溝を形成する工程と、
前記ハーフカット溝の、少なくとも前記薄膜内部電極が露出した積層体のハーフカット端面と、基板のハーフカット端面に外部電極を形成する工程と、
前記ハーフカット溝に沿って、かつ、前記積層体のハーフカット端面及び基板のハーフカット端面に形成された外部電極が実質的に除去されない位置において基板をフルカットする工程と
を具備することを特徴とする薄膜積層電子部品の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5E082AB03
, 5E082BB07
, 5E082BC14
, 5E082BC39
, 5E082EE05
, 5E082EE37
, 5E082FF05
, 5E082GG10
, 5E082MM22
, 5E082MM24
