特許
J-GLOBAL ID:200903070189733295
スイッチング素子
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
園田 吉隆 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-551440
公開番号(公開出願番号):特表2002-517096
出願日: 1999年05月28日
公開日(公表日): 2002年06月11日
要約:
【要約】2つの端子(1,2)間に電圧が印加されたときに、電流を伝達する導通状態と電荷キャリアの移動を阻止する阻止状態との間でスイッチングするために、1以上の材料層によって相互に接続された2つの反対端子(1,2)を有する素子が、前記材料層として、真性ダイヤモンドからなる第1の層(3)と、該第1の層(3)に隣接配置されている第2の層(9,10)とを具備している。また、この素子は、前記電圧によって前記ダイヤモンド層を通して移動するように、前記第2の層(10)内に自由電荷キャリアを供給することによって前記導通状態とし、前記移動のための自由電荷キャリアの供給を停止することにより前記阻止状態に切り換える手段(16)を具備する。前記ダイヤモンド層(3)は、前記阻止状態において、前記端子間の電圧の大部分を受けるように適合されている。
請求項(抜粋):
2つの端子(1,2)を有し、該端子(1,2)間に電圧を印加したときに、これらの端子(1,2)間に電流を伝導させる導通状態と、これらの端子(1,2)間における電荷キャリアの移動を阻止する阻止状態との間で切り換えるために、1以上の材料層によって2つの端子(1,2)を相互に接続してなる素子であって、 前記材料層が、真性ダイヤモンドからなる第1の層(3)と、該第1の層(3)に隣接配置された第2の層(4,9,10)とを具備し、 前記電圧により、前記ダイヤモンド層を通して移動させるために、前記第2の層に自由電荷キャリアを供給することによって前記導通状態とし、前記移動のための前記自由電荷キャリアの供給を停止することによって前記阻止状態に切り換えるための手段(8,16)をさらに具備し、 前記ダイヤモンド層が、前記阻止状態において前記端子間に印加される電圧の大部分を受けるように適合されていることを特徴とする素子。
IPC (3件):
H01L 29/165
, H01L 31/10
, H01L 45/00
FI (3件):
H01L 29/165
, H01L 45/00 Z
, H01L 31/10 A
Fターム (8件):
5F049MA04
, 5F049MB03
, 5F049MB12
, 5F049NA20
, 5F049NB10
, 5F049PA10
, 5F049WA05
, 5F049WA07
引用特許:
審査官引用 (11件)
-
特開平4-293272
-
特開平4-293272
-
特開平4-293273
-
特開平4-293273
-
特開平3-214780
-
特開平3-214780
-
UVフォトディテクタ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-005065
出願人:浜松ホトニクス株式会社
-
ダイヤモンドヘテロ接合整流素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-315611
出願人:株式会社神戸製鋼所, コウベ・スチール・ユーエスエイ・インコーポレイテッド
-
特開昭64-055862
-
特開昭64-055862
-
半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-066107
出願人:住友電気工業株式会社
全件表示
前のページに戻る