特許

J-GLOBAL ID：200903070213573938

レジスト剥離剤組成物

発明者： ユーン、サク-イイ ,  パク、ヤン-ウン ,  オー、シャン-イイ ,  リー、スン-ダイ ,  ヨー、チョン-スン
出願人/特許権者： ドウジン セミケム カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 鈴木 崇生 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-579032
公開番号（公開出願番号）：特表2003-532143
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2003年10月28日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、大規模集積回路、超大規模集積回路などの半導体素子類を製造する工程においてレジストを除去するために用いられるレジスト剥離剤組成物に関する。【解決手段】 このレジスト剥離剤組成物には、有機アミン化合物が3〜10重量%、DMAc、DMF、DMI、NMP等からなる群から選ばれた1種類の溶剤が30〜60重量%、水が30〜60重量%、カテコール、レゾルシン又はこれらの混合物が1〜10重量%、及び炭素数4〜6の直鎖多価アルコールが1〜10重量%含まれる。

請求項（抜粋）：

(a)有機アミン化合物が3〜10重量%、(b)N,N-ジメチルアセトアミド(DMAc)、N,N-ジメチルホルムアミド(DMF )、1,3-ジメチル-2-イミダゾリノン(DMI )及びN-メチルピロリドン(NMP )からなる群から選ばれた1種類の溶剤が30〜60重量%、(c)水が30〜60重量%、(d)カテコール、レゾルシンまたはこれらの混合物が1〜10重量%及び(e)炭素数4〜6の直鎖多価アルコールが1〜10重量%含まれるレジスト剥離剤組成物。

IPC (2件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B

Fターム (3件)：

2H096AA25 ,  2H096LA03 ,  5F046MA02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• タンタル薄膜回路素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-046624   出願人：シャープ株式会社, 三菱瓦斯化学株式会社
• レジスト剥離剤組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-235926   出願人：三菱瓦斯化学株式会社