特許

J-GLOBAL ID：200903081298266259

タンタル薄膜回路素子の製造方法

発明者： 野原 正寛 ,  林 正敏 ,  桶谷 大亥 ,  丸山 岳人 ,  阿部 久起 ,  青山 哲男
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  三菱瓦斯化学株式会社
代理人 (1件)： 大谷 保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-046624
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251214
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】 ドライエッチング後、又はドライエッチングに続くアッシング処理後に、残存レジスト,レジスト残渣及びタンタル系残渣物を簡便にかつ容易に除去し、タンタル薄膜回路素子を効率よく製造する方法を提供すること。【解決手段】 基板上に設けられたタンタル薄膜上に所定のパターンをレジストで形成したのち、これをマスクとしてタンタル薄膜の不要部分をドライエッチング除去し、場合によりアッシング処理したのち、第四級アンモニウム水酸化物と水溶性アミンと親水性有機溶剤と水とからなるレジスト剥離液又はこれにさらに防食剤を加えたレジスト剥離液によって、残存レジスト,レジスト残渣及びタンタル系残渣物を除去することにより、タンタル薄膜回路素子を製造する。

請求項（抜粋）：

(A)基板上に設けられたタンタル薄膜上に所定のパターンをレジストで形成する工程、(B)このレジストパターンをマスクとしてタンタル薄膜の不要部分をドライエッチング除去する工程及び(C)第四級アンモニウム水酸化物と水溶性アミンと親水性有機溶剤と水とからなるレジスト剥離液により、残存レジスト,レジスト残渣及びドライエッチング時に生成したタンタル系残渣物を除去する工程を順次施すことを特徴とするタンタル薄膜回路素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 21/30 572 B ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/306 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• レジスト膜用剥離液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-131744   出願人：ローム株式会社, 関東化学株式会社
• フォトレジスト剥離剤及び半導体集積回路の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-091521   出願人：三菱瓦斯化学株式会社
• エッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-106319   出願人：ローム株式会社
• フォトレジスト用剥離液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-187051   出願人：住友化学工業株式会社