半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-302130
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133590
出願日： 1998年10月23日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の電解効果移動度を向上する。【解決手段】下地膜110上に、PECVD法でシリコン膜150を成膜し、更に、窒化シリコン膜でなる絶縁膜170を成膜する。CVDシリコン膜150は、非晶質成分と結晶成分とが混在した半導体薄膜であり、結晶粒と結晶粒の間に非晶質部分が存在している結晶構造を有し、その結晶粒は基板面を底面とする柱状構造を呈している。絶縁膜170が表面に存在した状態でCVDシリコン膜150をエキシマレーザによりアニールして結晶性シリコン膜151を形成する。絶縁膜170と共に、シリコン膜151を島状にパターニングし活性層200、300、310を形成する。島状の絶縁膜221、321、322で活性層200、300、310表面を覆った状態を保つことで、活性層表面がボロンで汚染されたり、自然酸化膜が形成されることを防止できる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面に形成され、半導体薄膜でなる活性層を有する半導体素子を含む半導体回路を備え、前記半導体薄膜は非晶質成分と結晶成分が混在する半導体薄膜をその表面に絶縁膜が接した状態で結晶化した膜で形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , G02F 1/136 500 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 627 G

Fターム (52件)：

2H092JA01 , 2H092JA24 , 2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA10 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA15 , 2H092MA27 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092MA37 , 2H092NA25 , 2H092PA01 , 2H092PA08 , 5F052AA02 , 5F052BB07 , 5F052CA02 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052EA02 , 5F052EA11 , 5F052EA15 , 5F052FA06 , 5F052FA24 , 5F052JA04 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110CC08 , 5F110DD02 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE34 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG45 , 5F110GG58 , 5F110HJ18 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL12 , 5F110HL23 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP22

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-328872
結晶性半導体膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-005741 出願人：セイコーエプソン株式会社, アプライドコマツテクノロジー株式会社
結晶性半導体膜の製造方法、および薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-348170 出願人：セイコーエプソン株式会社

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