結晶性半導体膜の製造方法、および薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-348170
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189449
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】結晶化性の高い半導体膜を低温プロセスの中で高い生産性で安定して得るための結晶性半導体膜の製造方法、およびこの方法により得た結晶性半導体膜を用いてTFTを製造する方法を提供することにある。【解決手段】 TFTを製造するためにPECVD法などで形成したシリコン膜12では、表面から約30nmの深さのところまでに水素が集中し、かかる水素の存在がレーザーアニール時の障害となる。そこで、シリコン膜12を厚めに形成しておき、その表層14をドライエッチングなどにより除去し、残ったシリコン膜12のみにレーザー照射等による結晶化や再結晶化を行う。

請求項（抜粋）：

気相堆積法により半導体膜を形成する第一工程と、該半導体膜の表層を除去する第二工程と、該第二工程で表層が除去された半導体膜の結晶性を高める第三工程とを含むことを特徴とする結晶性半導体膜の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/203 S , H01L 21/205 , H01L 27/12 R , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-348021
特開平4-286336
特開昭61-127118

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