特許
J-GLOBAL ID：200903070237015464
圧電式音波センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-221007
公開番号（公開出願番号）：特開2007-037007
出願日： 2005年07月29日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】従来よりも検出感度を向上する。【解決手段】下部電極部3、圧電膜部4、上部電極部5、酸化膜6においてダイヤフラム部1の撓みに対して残留応力の影響を与えるのはダイヤフラム部1表面に存在する部分であって枠部2表面に存在する部分が与える影響は少ないと考えられる。従って、ダイヤフラム部1の表面における上部電極部5並びに圧電膜部4をダイヤフラム部1よりも狭い範囲に設ければ、上部電極部5並びに圧電膜部4がダイヤフラム部1と同じ若しくは広い範囲に設けられている従来例に比較して、上部電極部5並びに圧電膜部4の残留応力がダイヤフラム部1に与える影響が小さくなってダイヤフラム部1が撓み易くなり、その結果、従来よりも検出感度を向上させることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板を加工して薄膜状に形成されるダイヤフラム部と、半導体基板からなりダイヤフラム部の周囲を囲み且つ支持する枠部と、ダイヤフラム部の表面に密着して設けられる薄膜状の下部電極部と、ダイヤフラム部と反対側の下部電極部表面に密着して設けられる薄膜状の圧電膜部と、下部電極部と反対側の圧電膜部表面に密着して設けられる薄膜状の上部電極部とを備え、音波を受けてダイヤフラム部が撓んだときに圧電膜部に発生する電圧を下部電極部並びに上部電極部を通して取り出す圧電式音波センサであって、
ダイヤフラム部の表面においては少なくとも上部電極部並びに圧電膜部がダイヤフラム部よりも狭い範囲に設けられたことを特徴とする圧電式音波センサ。
IPC (4件)：
H04R 17/02
, H04R 17/00
, H01L 41/08
, H01L 41/187
H04R17/02
, H04R17/00 330H
, H01L41/08 Z
, H01L41/08 D
, H01L41/18 101D
5D004DD03
, 5D004FF01
, 5D019AA21
