光導波路デバイスの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三俣弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-112810
公開番号（公開出願番号）：特開2000-056144
出願日： 1999年04月20日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 MCVD法による光導波路デバイスの改善された製造方法を提供する。【解決手段】溶液ドーピングされたプリフォームにおける不均一性は、完全反応に必要な高温度により生起された煤層の不均一性によるものであり、亜酸化窒素のような反応温度を低下させるガスを用いるMCVD法によれば、非常に均一な煤層を生成できる。常用の酸素/反応ガス混合物は極めて小さな温度窓しか示さないので、焼結しなくても均一なシリカ煤層を生成できる。酸素の温度が低い場合、SiCl4は完全に反応せず、オキシ塩化ケイ素が生成される。オキシ塩化ケイ素は煤層を劣化させ、煤層を使用不能にする。温度が高い場合、煤層は焼結し始め、表面積と気孔率が減少する。

請求項（抜粋）：

(a)基板を供給するステップと、(b)1450〜1900°Cの範囲内の温度で、前記基板上に煤層を堆積させるステップと、(c)前記煤層を所望のドーパントに暴露させるステップと、(d)ドープされたガラス層を生成するために、前記ドープされた煤層を焼結させるステップと、からなることを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。

IPC (4件)：

G02B 6/00 356 , C03B 8/04 , C03B 37/018 , G02B 6/16

FI (4件)：

G02B 6/00 356 A , C03B 8/04 B , C03B 37/018 B , G02B 6/16

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平2-258644
特開昭56-017937
特開昭60-086275

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