特許

J-GLOBAL ID：200903070242709806

窒化ガリウム系化合物半導体基板及びその製造方法

発明者： 武石 英見 ,  亀井 英徳 ,  品川 修一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-138667
公開番号（公開出願番号）：特開2001-322899
出願日： 2000年05月11日
公開日（公表日）： 2001年11月20日
要約：

【要約】【課題】 ピットの少ない、表面平坦性のすぐれた窒化ガリウム系化合物半導体基板を提供することを目的とする。【解決手段】 粒径が非常に小さい砥粒を用いて、研磨速度を徐々に遅くしながら窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面を研磨することにより、表面のピットおよびスクラッチラインを低減する。また、研磨後の窒化ガリウム系化合物半導体基板の表面をRIEを用いて、低いエッチングレートでエッチングして表面ダメージ層を除去することにより、研磨後のすぐれた表面平坦性を維持した状態で、窒化ガリウム系化合物半導体基板表面の結晶性を改善する。

請求項（抜粋）：

表面が平滑に研磨された窒化ガリウム系化合物半導体基板であって、その表面の深さが20Å以上のスクラッチラインの線密度が105本/cm以下であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体基板。

IPC (8件)：

C30B 29/38 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (8件)：

C30B 29/38 D ,  B24B 37/00 K ,  B24B 37/04 G ,  H01L 21/304 621 C ,  H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 622 C ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

Fターム (25件)：

3C058AA07 ,  3C058BA02 ,  3C058BA04 ,  3C058BA09 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077FG02 ,  4G077FG12 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F073CA02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-082778   出願人：シャープ株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-149531   出願人：豊田合成株式会社, 新技術事業団

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Final polishing of Ga-polar GaN substrates using reactive ion etching