反応性イオンエッチングを用いたGa-極性GaN基板の最終研磨

KAROUTA F; WEYHER J L; JACOBS B; NOWAK G; PRESZ A; GRZEGORY I; KAUFMANN L M F

文献

J-GLOBAL ID：200902172399581360 整理番号：00A0145232

反応性イオンエッチングを用いたGa-極性GaN基板の最終研磨

Final Polishing of Ga-Polar GaN Substrates using Reactive Ion Etching.

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資料名：

Journal of Electronic Materials (Journal of Electronic Materials)

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巻： 28 号： 12 ページ： 1448-1451 発行年： 1999年12月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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