特許
J-GLOBAL ID：200903070257039327

セラミック回路基板及び半導体モジュール

発明者：
小阪田 明義

小阪田 明義 について


出願人/特許権者：
株式会社住友金属エレクトロデバイス

株式会社住友金属エレクトロデバイス について


代理人 (1件)： 加古 宗男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-226876
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058995
出願日： 1998年08月11日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 セラミック回路基板のスルーホール導体の電気的特性・接続信頼性を向上する。【解決手段】 アルミナ又は窒化アルミニウムのセラミック基板18の所定位置に、上下方向に貫通するスルーホール19を形成する。このスルーホール19に充填するスルーホール導体20は、スルーホール19の内周面に印刷・焼成した下地メタライズ層21と、この下地メタライズ層21の表面に形成したメッキ層22とから構成する。下地メタライズ層21は、焼成前のセラミック基板18のスルーホール19の内周面にW又はMoの導体ペーストを印刷し、これをセラミック基板18と同時に焼成して形成したものである。メッキ層22は、焼成した下地メタライズ層21の表面にCuメッキ又はAgメッキにより形成したものである。表層の配線パターン25も、下地メタライズ層26と、メッキ層27との2層構造となっている。
請求項（抜粋）：
セラミック基板に形成されたスルーホール内に、該基板の上下両面を電気的に接続するスルーホール導体を形成したセラミック回路基板において、前記スルーホール導体は、前記スルーホールの内周面に印刷・焼成された下地メタライズ層と、この下地メタライズ層の表面に形成されたメッキ層とから構成されていることを特徴とするセラミック回路基板。
IPC (2件)：
H05K 1/11 ,  H01L 23/13
FI (2件)：
H05K 1/11 N ,  H01L 23/12 C
Fターム (3件)：
5E317AA24 ,  5E317BB04 ,  5E317CC52
引用特許：
審査官引用 (6件)
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