特許
J-GLOBAL ID：200903070298722520
電界放出型冷陰極装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-017448
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213202
出願日： 1996年02月02日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】低電圧駆動及び高効率電界放出が可能な電界放出型冷陰極装置を提供する。【解決手段】N型半導体基板11に溝12bが形成され、P型ダイヤモンド薄膜13、ゲート絶縁膜16及びゲート電極17が溝12b内に埋め込まれる。薄膜13、ゲート絶縁膜16及びゲート電極17は、それらの露出端面20が同一平面上にあり且つ膜13、16の界面に直交するように配設される。端面20に対して、真空雰囲気を介して対向するように、アノード電極18が配設される。ゲート電極17が正となるようにゲート電極17と基板11との間に電圧が印加されると、ゲート電極17に対向するダイヤモンド薄膜13の表面領域の仕事関数が低下する。アノード電極18にゲート電極17よりも高い電位が印加されると、仕事関数が低下した表面領域の端面20上の部分から電子が放出される。
請求項（抜粋）：
電子親和力の小さい半導体からなるP型半導体膜と、前記P型半導体層上に配設された絶縁膜と、前記P型半導体膜と前記絶縁膜とは、それらの界面に対して交差する端面を有することと、前記端面の近傍において前記絶縁膜を介して前記P型半導体膜と対向するゲート電極と、を具備し、前記ゲート電極と前記P型半導体膜との間に前記ゲート電極が正となるように電圧を付与することにより、前記ゲート電極と対向する前記P型半導体膜の表面領域の仕事関数を低下させ、前記端面に位置する前記表面領域の部分から電子を電界放出させることを特徴とする電界放出型冷陰極装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01J 1/30 C
, H01J 9/02 C
, H01J 9/02 B
