特許
J-GLOBAL ID：200903070336755089

半導体ウェハの蒸気乾燥方法

発明者：
中岡 康幸

中岡 康幸 について

, 
橋本 陽一

橋本 陽一 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-159933
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012587
出願日： 1996年06月20日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェハを水洗した後、イソプロピルアルコールの飽和蒸気に浸漬した後に引き上げて乾燥させる方法に於いて、引き上げられた半導体ウェハに微量な水が付着しないようにする。【解決手段】 半導体ウェハをイソプロピルアルコール飽和蒸気層から搬出するに際し、イソプロピルアルコール飽和蒸気層の上限を通過するときは他の部分での移動速度よりも低速として、イソプロピルアルコール飽和蒸気層を乱さないようにする。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハおよびこれを保持する保持材を含む被洗浄物を水で洗浄した後、被洗浄物を搬送する移動部材によって、イソプロピルアルコールの飽和蒸気層中に浸し、被洗浄物表面の水がイソプロピルアルコールで置換され、イソプロピルアルコール飽和蒸気層の上部へ被洗浄物を搬出して被洗浄物表面を乾燥させる蒸気乾燥方法において、イソプロピルアルコール飽和蒸気層から被洗浄物を搬出する際の上昇移動速度を、被洗浄物がイソプロピルアルコール飽和蒸気の上限を通過するときは、他の全ての移動速度より低速とすることを特徴とする半導体ウェハの蒸気乾燥方法。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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