特許
J-GLOBAL ID：200903070441169438
複数読出しにより不揮発性メモリにおけるノイズの影響を低減する方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井ノ口 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-010561
公開番号（公開出願番号）：特開2004-005909
出願日： 2003年01月20日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：
【課題】記憶エレメントが複数回読み出され、その結果が累積され、平均化されて、読出し品質に逆行する影響を与える可能性がある記憶エレメントおよび関連する回路内のノイズの影響やその他の過渡現象の影響が低減される。【解決手段】いくつかの技法の採用が可能であり、これらの技法の中には、コントローラによる平均化を実行する、記憶装置からコントローラへのデータの、各反復についての完全読出しおよび転送と,記憶装置による平均化を実行し、最終結果が得られるまではコントローラへのデータ転送を行わない、各反復についてのデータの完全読出しと,ある記憶エレメントが検知される状態を推定する知的アルゴリズムを用いて、完全読出しを回避するようにし、予めセットした状態情報を利用する、複数回のさらに高速の再読出しが後続する1回の完全読出しとが含まれる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
不揮発性メモリのデータ内容を検知する方法において、
1組の動作パラメータと目標基準とに基づいて前記不揮発性メモリの記憶エレメントにバイアスをかけるステップと、
前記組の動作パラメータと目標基準とに基づいて前記記憶エレメントにバイアスをかけて、前記記憶エレメントの状態を示すパラメータの値を複数回決定するステップと、
前記パラメータの前記複数の値の合成値を形成することにより前記記憶エレメントのデータ内容を決定するステップと、
を有することを特徴とする方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
G11C17/00 601Q
, G11C17/00 613
, G11C17/00 611A
