特許
J-GLOBAL ID:200903011525727901

半導体記憶装置及びデータ処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-008434
公開番号(公開出願番号):特開2001-274355
出願日: 2001年01月17日
公開日(公表日): 2001年10月05日
要約:
【要約】【課題】高速書換を可能としながら面積増大の少ない半導体記憶装置を提供する。また、小面積で大容量、または高速動作、低消費電力動作の半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体基板表面にロジック回路やバッファメモリ、センスアンプ等の周辺回路またはその一部を設け、絶縁膜を介してその上にメモリセルを設ける。
請求項(抜粋):
同一チップ上に構成された二種類以上のメモリセルアレーを有し、上記メモリセルアレーの少なくとも二種類が上下の位置関係に設けられていることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (12件):
H01L 27/10 461 ,  G11C 5/02 ,  G11C 11/41 ,  G11C 11/401 ,  G11C 16/02 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (10件):
H01L 27/10 461 ,  G11C 5/02 ,  H01L 27/00 301 A ,  G11C 11/34 345 ,  G11C 11/34 371 K ,  G11C 17/00 601 E ,  G11C 17/00 601 Z ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
引用特許:
審査官引用 (8件)
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