特許

J-GLOBAL ID：200903070488072327

半導体装置とその製造方法

発明者： 松田 聡
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-182422
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022141
出願日： 1998年06月29日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】本発明は、ゲート電極からの電界集中を緩和し、スイッチング特性の劣化、チャネル幅の狭いトランジスタにおけるしきい値電圧のを抑えることを可能とする。【解決手段】トレンチ11aは、傾斜が緩い第1の傾斜部12と、第1の傾斜部12の下部からトレンチ11aの底部に続く傾斜が急峻な第2の傾斜部13とからなる側壁を有している。ゲート電極15は第1の傾斜部12と素子領域11bの表面とが成す緩いコーナー部を覆っており、コーナー部における電界の集中が緩和されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板内に形成され、素子領域に隣接して形成されたトレンチと、前記トレンチ内に充填され前記素子領域を分離するための絶縁物とを具備し、前記トレンチの側壁は、前記トレンチの上部に形成された傾斜が緩い第1の傾斜部と、この第1の傾斜部の下部から前記トレンチの底部に続く傾斜が急峻な第2の傾斜部とを有し、前記素子領域の表面と前記第1の傾斜部とが成す緩い角度のコーナー部がゲート電極により覆われることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/76

FI (2件)：

H01L 29/78 301 R ,  H01L 21/76 L

Fターム (13件)：

5F032AA39 ,  5F032AA77 ,  5F032CA17 ,  5F032DA23 ,  5F032DA25 ,  5F040DA06 ,  5F040DC01 ,  5F040EC16 ,  5F040EK05 ,  5F040EM06 ,  5F040FC00 ,  5F040FC10 ,  5F040FC28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• トレンチ分離構造を備えた半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-132205   出願人：三菱電機株式会社
• 素子分離領域の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-052397   出願人：シャープ株式会社
• 単結晶シリコンのエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-224179   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 特開昭58-131747