特許
J-GLOBAL ID：200903070494235670

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
池田 典弘

池田 典弘 について

, 
谷本 伸一

谷本 伸一 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-069181
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349153
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】 比誘電率の低い層間絶縁膜を得て、特性の良好な半導体装置を提供すること。【解決手段】 単結晶シリコン基板1の上には、ライン状の導電層2が形成されている。導電層2の上には、比誘電率が小さい熱重合性炭化水素膜3が形成され、この炭化水素膜3の上には比誘電率が比較的小さい改質SOG膜マスク5が形成されている。この改質SOG膜マスク5は、炭化水素膜3に、導電層2に通じるコンタクトホール(ビアホール)6を形成するためのエッチングマスクとして機能する。更に、改質SOGマスク5の上に熱重合性炭化水素膜7が形成され、この炭化水素膜7には、コンタクトホール6に通じるトレンチ8が形成されている。そして、コンタクトホール6内及びトレンチ8内には、導電層2と電気的に接続する上層金属配線9が形成されている。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された第1絶縁膜と、この第1絶縁膜に形成された第1開口部と、前記第1絶縁膜の上に形成された前記第1開口部のエッチング用マスクと、前記第1開口部内に設けられた第1導電層とを備え、前記エッチング用マスクは低誘電率膜からなることを特徴とした半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/312
FI (3件)：
H01L 21/90 C ,  H01L 21/312 M ,  H01L 21/302 M
Fターム (69件)：
5F004AA04 ,  5F004DA04 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB23 ,  5F004EA03 ,  5F004EA06 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033MM02 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN31 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ23 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ60 ,  5F033QQ61 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033RR25 ,  5F033SS02 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT03 ,  5F033TT04 ,  5F033WW09 ,  5F033XX23 ,  5F033XX27 ,  5F058AA10 ,  5F058AD01 ,  5F058AD07 ,  5F058AD09 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG04 ,  5F058AG06 ,  5F058AH02 ,  5F058AH05 ,  5F058BA20 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BD19 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH12 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ05
引用特許：
審査官引用 (7件)
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