特許
J-GLOBAL ID：200903055862517428
多層配線の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-089083
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306988
出願日： 1996年04月11日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 多層配線を形成するデュアルダマシン法では、上層配線を埋め込むための溝に重ねて下層配線との接続をとるための接続孔を形成するので、接続孔の微細加工は段差部の影響によるパターン変形によって困難になっている。【解決手段】 半導体基板11上の下層配線12を覆う第1絶縁膜13を形成した後その表面を平坦化し、次いで第1絶縁膜13よりもエッチング速度が遅い第2絶縁膜14をさらに形成してから、接続孔の形成予定領域上の第2絶縁膜14に開口部17を形成する。次いで第2絶縁膜14上と開口部17上とに第2絶縁膜14よりもエッチング速度が速い第3絶縁膜18を形成し、その後エッチング技術によって、上層配線の形成予定領域上の第3絶縁膜18に開口部17を露出させる溝21を形成しかつ開口部17下の第1絶縁膜13に下層配線12に達する接続孔22を形成する。そして接続孔22と溝21とに導電体を埋め込んで接続プラグと上層配線とを形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に設けた下層配線を覆う状態に絶縁膜を形成した後、該絶縁膜に溝および接続孔を形成し、その後該接続孔内に導電体を埋め込むことで接続プラグを形成するとともに該溝内に導電体を埋め込むことで上層配線を形成してなる多層配線の形成方法であって、基板上に設けた下層配線を覆う状態に第1絶縁膜を形成した後、該第1絶縁膜よりもエッチング速度が遅い第2絶縁膜を該第1絶縁膜上に形成する工程と、前記下層配線に通じる接続孔を形成する領域の前記第2絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記開口部上および前記第2絶縁膜上に該第2絶縁膜よりもエッチング速度が速い第3絶縁膜を形成する工程と、エッチングによって、上層配線を形成する領域の前記第3絶縁膜に少なくとも前記開口部が露出する状態に溝を形成するとともに、前記第1絶縁膜に該開口部を通じて下層配線に達する接続孔を形成する工程と、を備えたことを特徴とする多層配線の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3065
H01L 21/90 A
, H01L 21/302 J
