半導体レーザ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-335850
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164985
出願日： 1998年11月26日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】低消費電力化および高出力動作時の単一モード化を図ることができ、しかも熱放散性に優れた、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザを提供する。【解決手段】リッジ形状のストライプを有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、リッジの両側の部分を、活性層16のバンドギャップ以下のバンドギャップを有する第1の窒化物系III-V族化合物半導体層と活性層16のバンドギャップより大きい第2の窒化物系III-V族化合物半導体層とを少なくとも含む埋め込み半導体層20により埋め込む。第1の窒化物系III-V族化合物半導体層は例えばInx Ga1-x N層20a、第2の窒化物系III-V族化合物半導体層は例えばAlz Ga1-z N層20bである。

請求項（抜粋）：

リッジ形状のストライプを有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、上記リッジの両側の部分が、活性層のバンドギャップ以下のバンドギャップを有する第1の窒化物系III-V族化合物半導体層と活性層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有する第2の窒化物系III-V族化合物半導体層とを少なくとも含む埋め込み半導体層により埋め込まれていることを特徴とする半導体レーザ。

Fターム (8件)：

5F073AA13 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073DA22 , 5F073DA25 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭63-213988
損失導波型半導体レーザー
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-221249 出願人：ゼロックスコーポレイション
特開平4-094184

全件表示

前のページに戻る