損失導波型半導体レーザー

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-221249
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093200
出願日： 1997年08月18日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】より小さいスポットサイズとすぐれた焦点深度を有し、高解像度印刷装置や高密度光学的記憶装置に利用できる短波長のレーザー光線を発生する損失導波型レーザーを提供する。【解決手段】本発明の損失導波型レーザーは、基板、基板上に形成した複数の隣接する半導体層、レーザー動作素子の活性層を形成している1つまたはそれ以上の前記半導体層(活性層は III-V族窒化物の材料で作られ、第1屈折率をもつ)、基板の表面に直角な第1方向に光とキャリヤを閉じ込めるため活性層をはさんでいる一対の領域、およびアウトカップリング損失を実現するため前記第1屈折率より高い第2屈折率の材料を活性層に近接して置くことによって形成された横導波領域、から成っている。

請求項（抜粋）：

基体と、前記基体に形成した複数の隣接する半導体層と、レーザー動作素子の活性層を形成している1つまたはそれ以上の前記隣接する半導体層であって、前記活性層が III-V族窒化物の材料で作られ、第1屈折率を有している半導体層と、前記基体の表面に直角の第1方向に光とキャリヤを閉じ込めるため前記活性層をサンドイッチ状にはさんでいる一対の領域と、横導波領域においてアウトカップリング損失を実現するため前記第1屈折率より高い第2屈折率の材料を前記活性層に近接して置くことによって形成された横導波領域とから成ることを特徴とする半導体レーザーデバイス。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (8件)

マルチ波長レーザダイオードアレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-229360 出願人：ゼロックスコーポレイション
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-233178 出願人：ローム株式会社
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-243681 出願人：株式会社日立製作所

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