特許
J-GLOBAL ID：200903070495500741
プラズマ処理方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-320899
公開番号（公開出願番号）：特開平8-176854
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年07月09日
要約：
【要約】【構成】 オーバーエッチングにおける最後の10数秒間で、直流電源10の電圧印加を停止するとともに、高周波電源9の出力をプラズマ処理の設定値から数秒間で所定値にまで低下させ、さらにその状態を10秒間維持する。このときの高周波電力の最小値は、少なくともプラズマの生成が可能な電力であり、また最大値はウェーハ6に自己バイアス電圧がほとんど生じないような電力である。この状態では、ウェーハ6の残留電荷が直流電圧により拘束されることはない。また、高周波電力が低下してウェーハ6の表面付近にシースが形成されなくなる。すると、電子が、シースに妨げられることなくウェーハ6に対し正の電位となるプラズマに引き寄せられる。これにより、ウェーハ6の残留電荷が除去される。【効果】 構造を複雑化させることなく、かつ被処理物を損傷させることなく、容易に被処理物を除電することができる。
請求項（抜粋）：
絶縁膜を介して電極上に載置された被処理物を、その電極に高周波電力が付与されることにより生成されたプラズマにて処理するとともに、プラズマ発生により上記被処理物に生じた自己バイアス電圧にて発生した静電気力および上記電極に直流電圧が印加されることにより発生した静電気力にて上記電極上に吸着保持するプラズマ処理方法であって、上記下部電極への直流電圧の印加を停止するとともに、高周波電力を、通常のプラズマ処理における値から、少なくともプラズマの生成が可能となり、かつ上記被処理物がほとんど自己バイアスされない値まで低下させ、その状態を所定時間維持することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (5件)：
C23F 4/00
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H05H 1/46
