特許
J-GLOBAL ID：200903070526995973
半導体装置及びその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-123001
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303428
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】 高精細な表示性能を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。【解決手段】 基板101上に形成されたTFT102、103を覆う層間絶縁膜104をCMPに代表される機械研磨によって平坦化する。その上に画素電極106、107を形成し、さらに画素電極を覆う絶縁膜108を形成する。そして、絶縁膜108を再度の機械研磨によって平坦化し、画素電極の表面と絶縁物112、113の表面とが同一平面をなす様にする。これにより、画素電極面に段差がなくなり、液晶材料の配向不良や光の乱反射等によるコントラストの低下等を防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
半導体素子と、前記半導体素子の上方に設けられた平坦化膜と、前記平坦化膜上に形成された画素電極と、前記反射電極の上方に配置された液晶層と、を有し、前記平坦化層の凹凸は反射電極の厚さの20%以内であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 627 A
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 612 Z
