インタフェース構造

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：柿本恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-176052
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027692
出願日： 1995年07月12日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【目的】外部インタフェースのコモンモード電磁放射(EMI)を減ずる。【構成】多層基板のインタフェース基板2に搭載のドライバレシーバIC5は、基板2に形成されたインタフェース信号パターン、コネクタ6及びケーブル11を介して、外部機器に対するインタフェース信号Sioを送受信する。IC5は基板2の中層に形成された電源パターンから供給された電圧で動作するが、その電源パターンはインタフェース信号パターンとコネクタ6とを避けて形成されている。また、IC5を搭載したインタフェース回路部13及び電源パターンの周辺とコネクタ6の周囲とは、FG(フレームグランド)信号パターン4,7と基板2の裏面に形成された導電層等でFGに落されている。そのため、電源パターンによって、インタフェース信号パターン、インタフェースコネクタ6に誘起されるEMIが低減する。

請求項（抜粋）：

インタフェース信号伝達用インタフェースケーブルを収容するインタフェースコネクタと、前記インタフェースコネクタを搭載し該インタフェースコネクタを該装置本体に接続する多層基板であって、前記インタフェース信号を送受信するインタフェース回路と該インタフェース回路及び該インタフェースコネクタ間を接続するインタフェース信号パターンと該インタフェース回路に対する電源パターンとを搭載するインタフェース基板とで、構成されたインタフェース構造において、前記多層基板の中層に形成された前記電源パターンは、前記インタフェース基板のインタフェースコネクタの搭載部と前記インタフェース信号パターンの形成部分とを避けて形成したことを特徴とするインタフェース構造。

IPC (2件)：

H05K 9/00 , H01R 13/658

FI (2件)：

H05K 9/00 R , H01R 13/658

引用特許：

審査官引用 (9件)

高周波プリント板回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-078502 出願人：富士通株式会社
特開平1-227494
特開平4-080999

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