半導体素子及びそれを用いた半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-072180
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006712
出願日： 2003年03月17日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】高速動作が可能で電流駆動能力の高く、且つ複数の素子間においてばらつきの小さい半導体素子を提供する。【解決手段】絶縁表面上に、実質的に結晶粒界を有することなく複数の結晶方位を含む第1の結晶性半導体領域を有し、該第1の結晶性半導体領域が、該第1の結晶性半導体領域及び第2の結晶性半導体領域を含む導電性領域に連接して設けられた半導体素子であって、前記導電性領域は、直線状のストライプパターンで延在する絶縁膜に跨って設けられていることを特徴とする。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に、直線状のストライプパターンで延在する絶縁膜と、前記絶縁膜に跨って形成された導電性領域と、前記導電性領域と電気的に接続された複数のチャネル形成領域とを有し、前記複数のチャネル形成領域は、それぞれ第1の結晶性半導体領域の一部からなり、前記導電性領域は、前記絶縁膜上の第2の結晶性半導体領域、及び第1の結晶性半導体領域の一部からなることを特徴とする半導体素子。

IPC (5件)：

H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L27/08

FI (9件)：

H01L29/78 618C , H01L21/20 , H01L27/08 331E , H01L29/78 626C , H01L29/78 616T , H01L29/78 618Z , H01L29/78 627G , H01L29/78 627C , H01L21/88 P

Fターム (124件)：

5F033HH04 , 5F033LL04 , 5F033PP09 , 5F033PP12 , 5F033PP15 , 5F033QQ53 , 5F033QQ59 , 5F033QQ65 , 5F033QQ73 , 5F033QQ83 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR07 , 5F033RR08 , 5F033VV15 , 5F033WW01 , 5F033WW02 , 5F033XX33 , 5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BB09 , 5F048BC06 , 5F048BC16 , 5F048DA25 , 5F048DA28 , 5F052AA02 , 5F052AA24 , 5F052BA07 , 5F052BB02 , 5F052BB07 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DA10 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052EA13 , 5F052EA15 , 5F052EA16 , 5F052FA06 , 5F052FA12 , 5F052FA13 , 5F052FA16 , 5F052FA17 , 5F052JA01 , 5F052JA04 , 5F052JA07 , 5F110AA01 , 5F110AA07 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE30 , 5F110EE31 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG26 , 5F110GG29 , 5F110GG30 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HM05 , 5F110HM13 , 5F110HM15 , 5F110HM19 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN43 , 5F110NN46 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP07 , 5F110PP10 , 5F110PP24 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP38 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ23 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-280168 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-246064 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭61-241909

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