半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-280168
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121753
出願日： 1997年10月14日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】オン抵抗を低くしたいTFTに対して、ばらつきを抑えながら十分低いオン抵抗をとること、更にオフ抵抗を高くしたいTFTに対しては、サブスレッショルド特性の劣化を抑えながらオフ抵抗を大きくする。【解決手段】多結晶半導体薄膜を構成する結晶粒子を、オン抵抗を低くしたいTFTに対してはチャネル電流に対して平行な方向の長さが、垂直な方向の長さよりも長くなるように形成し、オフ抵抗を高くしたいTFTに対してはチャネル電流に対して垂直な方向の長さが、平行な方向の長さよりも長くなるように形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に設けられた多結晶半導体薄膜と、上記多結晶半導体薄膜に接して設けられた絶縁体と、上記絶縁体上に接して上記多結晶半導体薄膜と反対側の面に設けられ、導電性物質からなる制御電極と、上記多結晶半導体薄膜と上記絶縁体と上記制御電極と共に電界効果トランジスタを形成するために上記多結晶半導体薄膜の一部に形成された、第1及び第2の不純物拡散領域とを有する半導体装置において、上記多結晶半導体薄膜を構成する結晶粒子は、その上記電界効果トランジスタのチャネル電流に対して平行な方向の長さが、上記電界効果トランジスタのチャネル電流に対して垂直な方向の長さよりも長くなるように形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20

FI (3件)：

H01L 29/78 618 A , H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭60-143666
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-060257 出願人：富士ゼロックス株式会社
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-235461 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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