アクティブマトリックス基板及び液晶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-037755
公開番号（公開出願番号）：特開平11-231345
出願日： 1998年02月19日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】アクティブマトリックス基板について、液晶配向膜のラビング工程等によって発生する静電気によって基板上に形成されたTFT等が破壊される事態を有効に回避することのできる構成を提供することを課題とする。【解決手段】基板(絶縁性基板(1))上に画素電極がマトリックス状に配列形成され、各画素電極に対応して各々画素トランジスタが形成されるとともに、前記画素電極が形成された画素部(12)の周囲には前記画素トランジスタを制御する周辺回路および端子部が形成されてなる複数のパネル領域(11)が連続して配置されてなるアクティブマトリックス基板であって、前記パネル領域内の画素部を除く部位の少なくとも一部に絶縁層(第2層間絶縁膜(7))を介して帯電防止用の導電層(共通配線8)が設けられるように構成した。

請求項（抜粋）：

基板上に画素電極がマトリックス状に配列形成され、各画素電極に対応して各々画素トランジスタが形成されるとともに、前記画素電極が形成された画素部の周囲には前記画素トランジスタを制御する周辺回路および端子部が形成されてなる複数のパネル領域が連続して配置されてなるアクティブマトリックス基板であって、前記パネル領域内の画素部を除く部位の少なくとも一部に絶縁層を介して帯電防止用の導電層が設けられてなることを特徴とするアクティブマトリックス基板。

IPC (6件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1345 , G09F 9/00 309 , G09F 9/00 346 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1345 , G09F 9/00 309 Z , G09F 9/00 346 Z , H01L 29/78 612 Z , H01L 29/78 623 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体集合基板及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-139581 出願人：ソニー株式会社
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-275732 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開平3-296725

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