特許
J-GLOBAL ID：200903070652590784
磁気再生ヘッドおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三反崎 泰司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-126066
公開番号（公開出願番号）：特開2003-317215
出願日： 2002年04月26日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：
【要約】【課題】 優れたバイアスポイントの制御性、高い磁気抵抗変化率および良好な軟質磁性を有すると共に、優れた熱安定性および高出力性能を有し、超高密度記録に対応した磁気再生ヘッドおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 基板上にシード層と、磁気抵抗効果を増加させる材料からなる緩衝層と、フリー層と、第1の非磁性スペーサ層と、積層構造を有する被固定層と、固定作用層と、保護層とを順に形成し、第1の磁場において全体にアニール処理を施すことにより被固定層の磁化方向を固定したのち、第1の磁場よりも低い第2の磁場において全体にアニール処理を施し、フリー層の磁化方向を初期状態に戻すようにした。これにより、優れたバイアスポイントの制御性、高いGMR比および良好な軟質磁性を備えると共に、熱安定性および高出力性能を有し、超高密度記録に対応した磁気再生ヘッドを得ることができる。
請求項（抜粋）：
超高記録密度に対応したスピンバルブ型構造を有する磁気再生ヘッドの製造方法であって、基板上にシード層を形成する第1の工程と、このシード層上に、磁気抵抗効果を増加させる材料を用いて緩衝層を形成する第2の工程と、この緩衝層上に、強磁性材料を用いて磁化方向が自由に回転するフリー層を形成する第3の工程と、このフリー層上に、非磁性材料を用いて第1の非磁性スペーサ層を形成する第4の工程と、この第1の非磁性スペーサ層上に、積層構造を有する被固定層を形成する第5の工程と、この被固定層上に、固定作用層を形成する第6の工程と、この固定作用層上に、保護層を形成する第7の工程と、全体を第1の磁場においてアニール処理を施すことにより、前記被固定層の磁化方向を固定する第8の工程と、全体を前記第1の磁場よりも低い第2の磁場においてアニール処理を施すことにより、前記フリー層の磁化方向を初期状態に戻す第9の工程とを含むことを特徴とする磁気再生ヘッドの製造方法。
IPC (4件)：
G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01L 43/08
, H01L 43/12
G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01L 43/08 Z
, H01L 43/12
5D034BA02
, 5D034BA03
, 5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034CA04
, 5D034CA08
, 5D034DA07
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AA09
, 5E049AC00
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049CB02
, 5E049DB12
