ITO透明導電薄膜の成膜方法とITO透明導電薄膜、透明導電性フィルム及びタッチパネル

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：重野剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-318348
公開番号（公開出願番号）：特開2004-149884
出願日： 2002年10月31日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】スパッタリング成膜後、低温短時間のアニールにより結晶化させることができるITO透明導電薄膜を提供する。【解決手段】In2O3とSnO2との合計に対するSnO2の重量割合が6%以下のITOターゲットを用いるスパッタリング法により成膜されたITO透明導電薄膜。低温短時間のアニールで結晶化させることができるため、基板の耐熱性に見合う低温で、生産性を損なうことのない短時間で、高強度で機械的耐久性に優れたITO透明導電薄膜とすることができる。高分子フィルム4上にこのITO透明導電薄膜5が成膜された透明導電性フィルム。この透明導電性フィルムを備えるタッチパネル。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にスパッタリング法によりITO透明導電薄膜を成膜する方法において、ターゲットとして、In2O3とSnO2との合計に対するSnO2の重量割合が6%以下のITOターゲットを用いることを特徴とするITO透明導電薄膜の成膜方法。

IPC (6件)：

C23C14/34 , C23C14/08 , G06F3/03 , G06F3/033 , H01B5/14 , H01B13/00

FI (7件)：

C23C14/34 A , C23C14/08 D , G06F3/03 310D , G06F3/03 320G , G06F3/033 360H , H01B5/14 A , H01B13/00 503B

Fターム (27件)：

4K029AA11 , 4K029AA25 , 4K029BA50 , 4K029BB10 , 4K029BC09 , 4K029BD00 , 4K029CA05 , 4K029DB05 , 4K029EA03 , 4K029EA05 , 4K029GA01 , 5B068AA22 , 5B068AA33 , 5B068BB06 , 5B068BC08 , 5B068BC13 , 5B087AA04 , 5B087CC13 , 5B087CC14 , 5B087CC16 , 5B087CC37 , 5G307FA02 , 5G307FB01 , 5G307FC03 , 5G323BA02 , 5G323BB05 , 5G323BC00

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-079647
透明導電性積層体
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-202130 出願人：帝人株式会社
特開昭61-079647

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