特許

J-GLOBAL ID：200903070702668976

基板処理装置

発明者： 小菅 一生
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-124311
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323414
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】 F系ガス、特にCF4やC2F6等の安定なガスをも高効率で処理することができる排ガス処理装置を有する基板処理装置を提供すること。【解決手段】 本発明は、半導体製造装置等の真空処理チャンバに接続された第1の真空ポンプ44により吸引され排出された排ガスを処理する排ガス処理装置46において、入口部が第1の真空ポンプの吐出口に接続された分解チャンバ58と、その内部に配置された電気ヒータ60と、分解チャンバ内に空気を供給する空気供給手段64と、分解チャンバの出口部に接続された第2の真空ポンプ52とを備えることを特徴とする。この排ガス処理装置によれば、第2の真空ポンプ52により大気と分解チャンバ58との間が遮断され、排ガスが希釈されず、効率よく加熱され分解される。

請求項（抜粋）：

真空処理チャンバと、前記真空処理チャンバ内に配置され、被処理基板を支持する基板支持体と、所定のプロセスを実行するためのプロセスガスを前記真空処理チャンバ内に供給するプロセスガス供給手段と、前記真空処理チャンバ内を減圧し、前記真空処理チャンバ内のガスを排ガスとして排出する、パージガスが不要な第1の真空ポンプと、入口部が前記第1の真空ポンプの吐出口に接続された分解チャンバと、前記分解チャンバ内に配置された電気ヒータと、前記分解チャンバ内に酸素含有ガスを供給する酸素供給手段と、吸込口が前記分解チャンバの出口部に接続された第2の真空ポンプとを備える基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  B01D 53/34 ZAB ,  B01D 53/70

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  B01D 53/34 ZAB ,  B01D 53/34 134 E

Fターム (25件)：

4D002AA22 ,  4D002AA26 ,  4D002AC10 ,  4D002BA05 ,  4D002BA12 ,  4D002BA14 ,  4D002CA01 ,  4D002DA35 ,  4D002DA70 ,  4D002EA02 ,  4D002HA01 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC16 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045EB06 ,  5F045EE04 ,  5F045EE05 ,  5F045EG02 ,  5F045EG03 ,  5F045EG08 ,  5F045EH13

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体製造排ガスの除害装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-207285   出願人：カンケンテクノ株式会社
• 排気装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-180929   出願人：国際電気株式会社, 株式会社日立製作所