特許

J-GLOBAL ID：200903070722888310

半導体デバイス電極/配線、半導体デバイス電極用膜/配線用膜並びにAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲット

発明者： 釘宮 敏洋 ,  中井 淳一
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (2件)： 小谷 悦司 ,  植木 久一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-211590
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055842
出願日： 2002年07月19日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】ドライエッチング処理して半導体デバイスの電極(薄膜状の電極および配線)を形成するのに最適な、Al合金薄膜を有する半導体デバイス電極用膜/配線用膜を提供する。【解決手段】Ndを1.0at%以下含有するAl合金で構成されていることを特徴とするドライエッチング特性に優れた半導体デバイス電極用膜または半導体デバイス配線用膜。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

Ndを0.1at%超〜1.0at%以下含有するAl合金で構成されていることを特徴とするドライエッチング特性に優れた半導体デバイス電極用膜または半導体デバイス配線用膜。

IPC (5件)：

H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L29/786

FI (9件)：

H01L21/285 S ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/88 N ,  H01L21/88 D ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 612C

Fターム (63件)：

4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104CC05 ,  4M104DD40 ,  4M104DD65 ,  4M104DD78 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104HH03 ,  5F033HH10 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH22 ,  5F033HH23 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP20 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ73 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW04 ,  5F033XX10 ,  5F033XX16 ,  5F033XX18 ,  5F110AA03 ,  5F110AA04 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD13 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 液晶表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-150092   出願人：日本電気株式会社, 秋田日本電気株式会社
• 液晶ディスプレイ用の電極・配線材及びスパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-267700   出願人：真空冶金株式会社
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-346187   出願人：株式会社日立製作所