エピタキシャル成長層を絶縁層上に設ける方法及びエピタキシャル成長層を絶縁層上に有するシリコンウエハ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-045763
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254689
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】デバイス形成層の特性の均一性の良好なSOIウエハを得る。【構成】シリコン酸化膜3上にSOIウエハのデバイス形成層に用いられるエピタキシャル成長層4を形成する。【効果】エピタキシャル成長層4の特性の均一性は通常ウエハと比較して極めて良好であり、デバイス形成層の特性の均一化が図れる。

請求項（抜粋）：

少なくとも一つの主面が単結晶の基体の該主面上に直接エピタキシャル成長させてエピタキシャル成長層を形成する工程と、前記基体と接している面とは反対側の前記エピタキシャル成長層の表面に絶縁層を配設する工程と、前記基体を削り取り、前記エピタキシャル成長層を露出させる工程とを備える、エピタキシャル成長層を絶縁層上に設ける方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/304 321

引用特許：

審査官引用 (6件)

SOIウエハおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-212200 出願人：富士通株式会社
特開平3-235348
特開平4-035044

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